当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示ＰＮ结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。在齿轮的负载方向要加上重量，以便使齿隙。下图的曲线为图上图的方法的试验曲线，调整被试电机的供电电压，测量静态转矩特性。被试电机的尺寸大小为42mm，33mm长，两相HB型，1.8°，35Ω/相，转子惯量15gcm2。测量时需要用基准重量来校正Y轴的转矩值，利用X-Y记录仪直接读取转矩值。下图为改变激磁相，测量1相激磁和2相激磁的静态转矩特性。可以看出，1相激磁和2相激磁产生的转矩大小和停止位置的不同，即相位差和转矩与图本文第二图所示的关系相同。在实际应用中我使用了LM358来代替比较器，其偏置电流为50na，串接1M的电阻，满足偏置电流的电压为50na×1M=50mv。按照st-lm358，其环频率响应1k一下可以达到100db，因此理论上输入1mv的电平依然可以识别，和前边设相比取50mv，asin(50mv/311)/2/pi/50=500ns，放大器的SR为0.6V/us，设转换到4V，需要7us。因此使用LM358的误差为7.5us,而实际上由于每个器件的共性，因此在同步上偏差应该小于1.5us。在S7中，除了过程映像区外，还可以通过外设寻址来访问输入/输出。外设寻址与过程映像区不同，外设寻址是指直接访问外设模块。外设寻址不能对外设进行位寻址，要求必须至少以字节为单位进行数据读写，即可以字节、字或者双字为单位进行寻址。其格式如下：PIB（PeripheralinputByte）：外设字节输入PIW（PeripheralinputWord）：外设字输入PID（PeripheralinputD-word）：外设双字输入PQB（PeripheraloutputByte）：外设字节输出PQW（PeripheraloutputWord）：外设字输出PQD（PeripheraloutputD-word）：外设双字输出为什么要用外设寻址访问地址超出了过程映像区的范围对于300的CPU而言，以CPU-3152DP为例（如所示），I/O地址区总计有2048个字节的输入和2048个字节的输出，但其过程映像区的大小仅为128字节。